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2SC3657、BUL216对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC3657 BUL216

描述 TO-3PN NPN 800V 4ASTMICROELECTRONICS  BUL216  单晶体管 双极, NPN, 800 V, 90 W, 2 A, 40 hFE

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 4.00 A

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 - 90 W

击穿电压(集电极-发射极) 800 V 800 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) - 12 @400mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 40

额定功率(Max) - 90 W

直流电流增益(hFE) - 40

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 9000 mW

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 9.15 mm

封装 TO-3 TO-220-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC