BSB280N15NZ3GXUMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSB280N15NZ3GXUMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 57 W
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1600pF @75VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 57W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 MG-WDSON-2
外形尺寸
封装 MG-WDSON-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BSB280N15NZ3GXUMA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSB280N15NZ3GXUMA1 | Infineon 英飞凌 | N沟道 150V 30A 9A | 搜索库存 |
替代型号BSB280N15NZ3GXUMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSB280N15NZ3GXUMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： WDSON N-CH 150V 9A | 当前型号 | N沟道 150V 30A 9A | 当前型号 |
| 型号： BSB280N15NZ3G 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET | BSB280N15NZ3GXUMA1和BSB280N15NZ3G的区别 |
| 型号： B280 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 9A ID, 150V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN | BSB280N15NZ3GXUMA1和B280的区别 |
| 型号： SB280 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 9A ID, 150V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN | BSB280N15NZ3GXUMA1和SB280的区别 |