BSB280N15NZ3GXUMA1、SB280、BSB280N15NZ3G对比区别

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型号 BSB280N15NZ3GXUMA1 SB280 BSB280N15NZ3G

描述 N沟道 150V 30A 9APower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PINN沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 7 - -

封装 MG-WDSON-2 - -

额定功率 57 W - -

极性 N-CH - -

耗散功率 2.8 W - -

漏源极电压(Vds) 150 V - -

连续漏极电流(Ids) 9A - -

上升时间 6 ns - -

输入电容(Ciss) 1600pF @75V(Vds) - -

下降时间 3 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 57W (Tc) - -

封装 MG-WDSON-2 - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free