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BSB280N15NZ3G、BSB280N15NZ3GXUMA1、SB28对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSB280N15NZ3G BSB280N15NZ3GXUMA1 SB28

描述 N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFETN沟道 150V 30A 9APower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 7 -

封装 - MG-WDSON-2 -

额定功率 - 57 W -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 2.8 W -

漏源极电压(Vds) - 150 V -

连续漏极电流(Ids) - 9A -

上升时间 - 6 ns -

输入电容(Ciss) - 1600pF @75V(Vds) -

下降时间 - 3 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.8W (Ta), 57W (Tc) -

封装 - MG-WDSON-2 -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -