BST52TA、BST52,115、BST52@115对比区别

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型号 BST52TA BST52,115 BST52@115

描述 BST52TA 编带NXP  BST52,115  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFEBST52@115

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1 W 1.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 0.5A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @150mA, 10V 2000 @500mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W 1.3 W -

直流电流增益(hFE) 2000 1000 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) 1000 mW 1300 mW -

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 500 mA - -

长度 - 4.6 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -