BSH202,215、FDV304P、SI2303CDS-T1-GE3对比区别

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型号 BSH202,215 FDV304P SI2303CDS-T1-GE3

描述 BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mVVISHAY  SI2303CDS-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.63 Ω 1.22 Ω 0.158 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 417 mW 350 mW 2.3 W

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) -520 mA 460 mA -2.70 A

上升时间 4.5 ns 8 ns 37 ns

输入电容(Ciss) 80pF @24V(Vds) 63pF @10V(Vds) 155pF @15V(Vds)

下降时间 20 ns 35 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 417mW (Ta) 350mW (Ta) 1000 mW

额定功率(Max) 417 mW 350 mW -

额定电压(DC) - -25.0 V -

额定电流 - -460 mA -

额定功率 - 350 mW -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - -25.0 V -

长度 - 2.92 mm 3.04 mm

宽度 - 1.3 mm 1.4 mm

高度 - 0.93 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99