
针脚数 4
漏源极电阻 0.22 Ω
耗散功率 5 W
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
封装 SOT-223
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSP250 | NXP 恩智浦 | NXP BSP250 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.22 ohm, -10 V, -1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSP250 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-223 | 当前型号 | NXP BSP250 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.22 ohm, -10 V, -1 V | 当前型号 | |
型号: NDT452AP 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-223 P-Channel -30V 5A 65mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT452AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -30 V, 65 mohm, -10 V, 1.6 V | BSP250和NDT452AP的区别 | |
型号: NDT456P 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-223 P-Channel -30V 7.5A 35mohms | 功能相似 | P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | BSP250和NDT456P的区别 | |
型号: FDT458P 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-223 P-Channel -30V 3.4A 130mohms 205pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT458P 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -30 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.8 V | BSP250和FDT458P的区别 |