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BSP250
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BSP250  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.22 ohm, -10 V, -1 V

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -300V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.25Ω @-1A,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1.--2.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 5W Description & Applications| FEATURES • High-speed switching • No secondary breakdown • Very low on-resistance. 描述与应用| •高速开关 •无二次击穿 •非常低的导通电阻


Win Source:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor


BSP250中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.22 Ω

耗散功率 5 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSP250引脚图与封装图
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BSP250 NXP 恩智浦 NXP  BSP250  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.22 ohm, -10 V, -1 V 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP250

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-223

当前型号

NXP  BSP250  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.22 ohm, -10 V, -1 V

当前型号

型号: NDT452AP

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-223 P-Channel -30V 5A 65mohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT452AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -30 V, 65 mohm, -10 V, 1.6 V

BSP250和NDT452AP的区别

型号: NDT456P

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-223 P-Channel -30V 7.5A 35mohms

功能相似

P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

BSP250和NDT456P的区别

型号: FDT458P

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-223 P-Channel -30V 3.4A 130mohms 205pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT458P  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -30 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.8 V

BSP250和FDT458P的区别