BSP250、NDT456P、BSP250,115对比区别
型号 BSP250 NDT456P BSP250,115
描述 NXP BSP250 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.22 ohm, -10 V, -1 VP 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。NXP BSP250,115 晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 3
封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4
针脚数 4 4 3
漏源极电阻 0.22 Ω 0.026 Ω 0.25 Ω
耗散功率 5 W 3 W 5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
极性 - P-Channel P-Channel
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 7.50 A -2.80 mA
输入电容(Ciss) - 1440pF @15V(Vds) 250pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 1.1 W 1.65 W
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 3 W 1.65W (Ta)
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -7.30 A -
阈值电压 - 1.5 V -
漏源击穿电压 - -30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 65 ns -
下降时间 - 70 ns -
封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4
长度 - 6.7 mm 6.7 mm
宽度 - 3.7 mm 3.7 mm
高度 - 1.7 mm 1.7 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -