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BCP55-10,115、BCP55,115、BAT54S,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP55-10,115 BCP55,115 BAT54S,215

描述 NXP  BCP55-10,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFENXP  BCP55,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFENXP  BAT54S,215  小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-23-3

频率 180 MHz 180 MHz -

针脚数 4 4 3

极性 NPN NPN -

耗散功率 640 mW 640 mW 230 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 63 @5mA, 2V -

额定功率(Max) 1.35 W 1.35 W -

直流电流增益(hFE) 63 63 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1350 mW 0.96 W -

正向电压 - - 800mV @100mA

反向恢复时间 - - 5 ns

正向电流 - - 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 600 mA

正向电压(Max) - - 800 mV

正向电流(Max) - - 200 mA

工作结温 - - 150℃ (Max)

长度 - 6.7 mm 3 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 1.4 mm

高度 - 1.7 mm 1 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

重量 - - 0.004535924 kg

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - ECL99