BC63916_D74Z、BC639ZL1、BC639对比区别

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型号 BC63916_D74Z BC639ZL1 BC639

描述 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3Pin TO-92 AmmoTO-92 NPN 80V 1A高电流晶体管 High Current Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 100 MHz - 100 MHz

耗散功率 1 W 625 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

额定功率 - - 800 mW

极性 - NPN -

增益频宽积 - 200 MHz -

集电极最大允许电流 - 1A -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Box Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Contains Lead