BUL45D2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 700 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 1V
额定功率Max 75 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BUL45D2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BUL45D2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUL45D2 | ON Semiconductor 安森美 | 功率晶体管5安培700伏75瓦 POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS | 搜索库存 |
替代型号BUL45D2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUL45D2 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 NPN 700V 5A | 当前型号 | 功率晶体管5安培700伏75瓦 POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS | 当前型号 |
| 型号： BUL45D2G 品牌： 安森美 封装： TO220-3 NPN 700V 5A 75000mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BUL45D2G 射频双极性晶体管 | BUL45D2和BUL45D2G的区别 |
| 型号： 3779 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 1A IC, 60V VBRCEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, | BUL45D2和3779的区别 |