BQ4010YMA-85N

TI(德州仪器) 电子元器件分类

为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 64Kb（8K x 8）并联 28-DIP 模块（18.42x37.72）

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

Win Source:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP / NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 64Kb 8K x 8 Parallel 85 ns 28-DIP Module 18.42x37.72

BQ4010YMA-85N中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

存取时间 85 ns

存取时间Max 85 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

BQ4010YMA-85N引脚图与封装图

BQ4010YMA-85N引脚图

BQ4010YMA-85N封装图

BQ4010YMA-85N封装焊盘图

在线购买BQ4010YMA-85N

型号	制造商	描述	购买
BQ4010YMA-85N	TI 德州仪器	为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V	搜索库存

替代型号BQ4010YMA-85N

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BQ4010YMA-85N 品牌： TI 德州仪器封装： DIP 5V 85ns	当前型号	为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V	当前型号
型号： BQ4010YMA-85 品牌：德州仪器封装： 28-DIP 5V 85ns	类似代替	为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V	BQ4010YMA-85N和BQ4010YMA-85的区别
型号： BQ4010MA-85 品牌：德州仪器封装： DIP 64000B 5V 85ns 28Pin	类似代替	8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM	BQ4010YMA-85N和BQ4010MA-85的区别
型号： DS1225AB-85+ 品牌：美信封装： DIP 64000B 5V 85ns 28Pin	功能相似	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-85+ 芯片, 存储器, NVRAM	BQ4010YMA-85N和DS1225AB-85+的区别