BQ4010YMA-85N、DS1225AB-85+、BQ4010YMA-85对比区别

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型号 BQ4010YMA-85N DS1225AB-85+ BQ4010YMA-85

描述 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-85+  芯片, 存储器, NVRAM为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V

供电电流 50 mA - 50 mA

存取时间 85 ns 85 ns 85 ns

存取时间(Max) 85 ns - 85 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.75 V 4.5 V

针脚数 - 28 -

时钟频率 - 85.0 GHz -

内存容量 - 64000 B -

长度 - 39.37 mm 37.72 mm

宽度 - 18.29 mm 18.42 mm

高度 - 10.67 mm 9.4 mm

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99