BQ4010YMA-85、BQ4010YMA-85N、DS1225AD-200+对比区别

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型号 BQ4010YMA-85 BQ4010YMA-85N DS1225AD-200+

描述 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-200+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 50 mA 50 mA 75 mA

存取时间 85 ns 85 ns 200 ns

存取时间(Max) 85 ns 85 ns 200 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - - 28

时钟频率 - - 200 GHz

内存容量 - - 8000 B

长度 37.72 mm - 39.37 mm

宽度 18.42 mm - 18.8 mm

高度 9.4 mm - 9.35 mm

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -