BC308C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC308C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -100 mA
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 130 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 380 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC308C引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC308C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC308C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 -25V -100mA | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： MPSW56 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-226 -80V -1A | 功能相似 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | BC308C和MPSW56的区别 |
| 型号： BC212B 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | 0.35W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 50V Vceo, 0.1A Ic, 40 - hF | BC308C和BC212B的区别 |
| 型号： BC212 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | 0.35W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 50V Vceo, 0.1A Ic, 60 - hF | BC308C和BC212的区别 |