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BC212、BC308C、BC212B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC212 BC308C BC212B

描述 0.35W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 50V Vceo, 0.1A Ic, 60 - hFPNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR0.35W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 50V Vceo, 0.1A Ic, 40 - hF

数据手册 ---

制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童) Continental Device

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-92 TO-92-3 -

额定电压(DC) - -25.0 V -

额定电流 - -100 mA -

耗散功率 - 0.5 W -

增益频宽积 - 130 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 25 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 380 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 800 -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

长度 - 4.58 mm -

宽度 - 3.86 mm -

高度 - 4.58 mm -

封装 TO-92 TO-92-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -