BSP225,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSP225,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 10 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids -225 mA
输入电容Ciss 90pF @25VVds
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSP225,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP225,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP225,115 | NXP 恩智浦 | NXP BSP225,115 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -250 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 V | 搜索库存 |
替代型号BSP225,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP225,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 P-Channel -250V -225mA | 当前型号 | NXP BSP225,115 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -250 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 V | 当前型号 |
| 型号： BSP130,115 品牌： 安世 封装： SOT-223 | 功能相似 | N-沟道 300 V 6 Ohm 1.5 W 表面贴装 增强型 D-MOS 晶体管 SOT-223 | BSP225,115和BSP130,115的区别 |
| 型号： BSP126,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSP126,115, 375 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装 | BSP225,115和BSP126,115的区别 |