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BSP126,115、BSP225,115、BSP126,135对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP126,115 BSP225,115 BSP126,135

描述 Nexperia Si N沟道 MOSFET BSP126,115, 375 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装NXP  BSP225,115  晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -250 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 VN沟道 VDS=250V VGS=±20V ID=375mA P=1.5W

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 3 4 -

漏源极电阻 2.8 Ω 10 Ω 5 Ω

耗散功率 1.5 W 1.5 W 1.5 W

阈值电压 2 V - -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

输入电容(Ciss) 120pF @25V(Vds) 90pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)

通道数 - 1 1

极性 - P-Channel -

连续漏极电流(Ids) - -225 mA -

漏源击穿电压 - - 250 V

长度 6.7 mm 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.7 mm 1.7 mm 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -