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BSR33TA、BSR33,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSR33TA BSR33,115

描述 BSR33TA 编带NXP  BSR33,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 100 hFE

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

频率 100 MHz 100 MHz

额定功率 - -

针脚数 - 3

耗散功率 1 W 1.35 W

增益频宽积 - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 5V 100 @100mA, 5V

额定功率(Max) 1 W 1.35 W

直流电流增益(hFE) 100 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1350 mW

额定电压(DC) -80.0 V -

额定电流 -1.00 A -

极性 PNP PNP

集电极最大允许电流 1A 1A

长度 - 4.6 mm

宽度 - 2.6 mm

高度 - 1.6 mm

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -