BYG10M-E3/TR中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.15V @1.5A
反向恢复时间 4 µs
正向电流 1.5 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A
正向电压Max 1.15 V
正向电流Max 1.5 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AC
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.79 mm
高度 2.09 mm
封装 DO-214AC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BYG10M-E3/TR引脚图与封装图
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在线购买BYG10M-E3/TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BYG10M-E3/TR | Vishay Semiconductor 威世 | 1.5A，Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。 薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号BYG10M-E3/TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BYG10M-E3/TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | 1.5A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： BYG10MHE3/TR 品牌： 威世 封装： DO-214AC | 完全替代 | VISHAY BYG10MHE3/TR Standard Power Diode, 1kV, 1.5A, Single, 1.15V, 4µs, 30A | BYG10M-E3/TR和BYG10MHE3/TR的区别 |
| 型号： BYG10M-E3/TR3 品牌： 威世 封装： DO-214AC | 类似代替 | BYG10M-E3/TR3 Diode Stand ard Recovery Rectifier 1K V 1.5A 2Pin SMA T/R RoHS | BYG10M-E3/TR和BYG10M-E3/TR3的区别 |
| 型号： BYG10MHE3/TR3 品牌： 威世 封装： SMA | 功能相似 | 整流器 1000 Volt 1.5 Amp Glass Passivated | BYG10M-E3/TR和BYG10MHE3/TR3的区别 |