BYG10MHE3/TR、BYG10M-E3/TR、BYG10M-E3/TR3对比区别

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型号 BYG10MHE3/TR BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR3

描述 VISHAY BYG10MHE3/TR Standard Power Diode, 1kV, 1.5A, Single, 1.15V, 4µs, 30A1.5A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay SemiconductorBYG10M-E3/TR3 Diode Stand ard Recovery Rectifier 1K V 1.5A 2Pin SMA T/R RoHS

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管整流二极管TVS二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 -

封装 DO-214AC DO-214AC DO-214AC

正向电压 1.15V @1.5A 1.15V @1.5A 1.15V @1.5A

反向恢复时间 4 µs 4 µs 4 µs

正向电流 1.5 A 1.5 A -

最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A 30 A -

正向电压(Max) 1.15 V 1.15 V 1.15V @1.5A

正向电流(Max) - 1.5 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 4.5 mm -

宽度 - 2.79 mm -

高度 - 2.09 mm -

封装 DO-214AC DO-214AC DO-214AC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free