BLS6G3135-20,112
数据手册.pdf
Ampleon USA
主动器件
BLS6G3135-20,112中文资料参数规格
技术参数
频率 3.1GHz ~ 3.5GHz
额定电流 2.1 A
上升时间 20 ns
输出功率 20 W
增益 15.5 dB
测试电流 50 mA
下降时间 10 ns
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 60 V
电源电压 32 V
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-608
外形尺寸
封装 SOT-608
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BLS6G3135-20,112引脚图与封装图
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在线购买BLS6G3135-20,112
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLS6G3135-20,112 | Ampleon USA | RF Power Transistor, 3.1 to 3.5GHz, 20W, 15.5dB, 32V, LDMOS, SOT-608A | 搜索库存 |
替代型号BLS6G3135-20,112
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLS6G3135-20,112 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | RF Power Transistor, 3.1 to 3.5GHz, 20W, 15.5dB, 32V, LDMOS, SOT-608A | 当前型号 |
| 型号： BLS6G3135-120,112 品牌： 恩智浦 封装： SOT502A | 功能相似 | NXP BLS6G3135-120,112 RF FET Transistor, 32V, 7.2A, 120W, 3.1GHz, 3.5GHz, SOT-502B | BLS6G3135-20,112和BLS6G3135-120,112的区别 |
| 型号： BLS6G3135-120 品牌： 恩智浦 封装： SOT | 功能相似 | LDMOS S波段雷达功率晶体管 LDMOS S-Band radar power transistor | BLS6G3135-20,112和BLS6G3135-120的区别 |