BLS6G3135-120、BLS6G3135-20,112、BLS6G3135-120,112对比区别

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型号 BLS6G3135-120 BLS6G3135-20,112 BLS6G3135-120,112

描述 LDMOS S波段雷达功率晶体管 LDMOS S-Band radar power transistorRF Power Transistor, 3.1 to 3.5GHz, 20W, 15.5dB, 32V, LDMOS, SOT-608ANXP BLS6G3135-120,112 RF FET Transistor, 32V, 7.2A, 120W, 3.1GHz, 3.5GHz, SOT-502B

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Ampleon USA NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 3 2

封装 SOT-502 SOT-608 SOT-502

封装 SOT-502 SOT-608 SOT-502

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 3A001B3A EAR99 -

耗散功率 - - 120 W

漏源极电压(Vds) - - 32 V

工作温度(Max) - 225 ℃ 225 ℃

频率 - 3.1GHz ~ 3.5GHz -

额定电流 - 2.1 A -

上升时间 - 20 ns -

输出功率 - 20 W -

增益 - 15.5 dB -

测试电流 - 50 mA -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

额定电压 - 60 V -

电源电压 - 32 V -