BLS6G3135-120,112、BLS6G3135-20,112、BLS6G3135-20对比区别

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型号 BLS6G3135-120,112 BLS6G3135-20,112 BLS6G3135-20

描述 NXP BLS6G3135-120,112 RF FET Transistor, 32V, 7.2A, 120W, 3.1GHz, 3.5GHz, SOT-502BRF Power Transistor, 3.1 to 3.5GHz, 20W, 15.5dB, 32V, LDMOS, SOT-608ALDMOS S波段雷达功率晶体管 LDMOS S-Band radar power transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Ampleon USA NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 2 3 3

封装 SOT-502 SOT-608 SOT-608

漏源极电阻 - - 580 mΩ

阈值电压 - - 2 V

漏源击穿电压 - - 60 V

上升时间 - 20 ns 20 ns

输出功率 - 20 W 20 W

增益 - 15.5 dB 15.5 dB

下降时间 - 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

耗散功率 120 W - -

漏源极电压(Vds) 32 V - -

频率 - 3.1GHz ~ 3.5GHz -

额定电流 - 2.1 A -

测试电流 - 50 mA -

额定电压 - 60 V -

电源电压 - 32 V -

长度 - - 20.45 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 4.62 mm

封装 SOT-502 SOT-608 SOT-608

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -