极性 N-CH
耗散功率 57 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 710pF @25VVds
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 57000 mW
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AUIRLR3105TRR | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 55V 25A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AUIRLR3105TRR 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-252-3 N-CH 55V 25A | 当前型号 | DPAK N-CH 55V 25A | 当前型号 | |
型号: AUIRLR3105TRL 品牌: 英飞凌 封装: DPAK N-CH 55V 25A | 完全替代 | DPAK N-CH 55V 25A | AUIRLR3105TRR和AUIRLR3105TRL的区别 | |
型号: IRLR3105TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 55V 25A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | AUIRLR3105TRR和IRLR3105TRPBF的区别 | |
型号: IRLR3105PBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-252 N-Channel 55V 25A | 类似代替 | INFINEON IRLR3105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 55 V, 37 mohm, 10 V, 3 V | AUIRLR3105TRR和IRLR3105PBF的区别 |