AUIRLR3105TRL、AUIRLR3105TRR、IRLR3105TRPBF对比区别

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型号 AUIRLR3105TRL AUIRLR3105TRR IRLR3105TRPBF

描述 DPAK N-CH 55V 25ADPAK N-CH 55V 25AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - - 57 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 43 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 57 W 57 W

阈值电压 - - 1V ~ 3V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) 25A 25A 25A

上升时间 57 ns 57 ns 57 ns

输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 57 W

下降时间 37 ns 37 ns 37 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 57000 mW 57000 mW 57W (Tc)

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.39 mm

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free