APT5015BVFRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT5015BVFRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 32.0 A
耗散功率 370 W
输入电容 5.28 nF
栅电荷 300 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT5015BVFRG引脚图与封装图
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在线购买APT5015BVFRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT5015BVFRG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号APT5015BVFRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT5015BVFRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 500V 32A 5.28nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： APT5015BVRG 品牌： 美高森美 封装： TO-247 N-CH 500V 32A 5.28nF | 完全替代 | TO-247 N-CH 500V 32A | APT5015BVFRG和APT5015BVRG的区别 |
| 型号： APT42F50B 品牌： 美高森美 封装： TO-247 500V 42A 6.81nF | 类似代替 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | APT5015BVFRG和APT42F50B的区别 |
| 型号： APT5015BVFR 品牌： Advanced Power Technology 封装： | 功能相似 | POWER MOS V | APT5015BVFRG和APT5015BVFR的区别 |