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APT5015BVFR、APT5015BVFRG、APT42F50B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5015BVFR APT5015BVFRG APT42F50B

描述 POWER MOS VTrans MOSFET N-CH 500V 32A 3Pin(3+Tab) TO-247N沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 Advanced Power Technology Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-247 TO-247-3

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 32.0 A 42.0 A

漏源极电阻 - - 110 mΩ

耗散功率 - 370 W 625 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - 5.28 nF 6.81 nF

栅电荷 - 300 nC 170 nC

漏源极电压(Vds) - 500 V 500 V

漏源击穿电压 - - 500 V

连续漏极电流(Ids) - 32.0 A 42.0 A

上升时间 - 14 ns 35 ns

输入电容(Ciss) - 4400pF @25V(Vds) 6810pF @25V(Vds)

下降时间 - 11 ns 26 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 370000 mW 625W (Tc)

长度 - - 21.46 mm

宽度 - - 16.26 mm

高度 - - 5.31 mm

封装 - TO-247 TO-247-3

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free