AOB11S60L、NDD60N360U1-35G、NDD60N360U1-1G对比区别

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型号 AOB11S60L NDD60N360U1-35G NDD60N360U1-1G

描述 D2PAK N-CH 600V 11A600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-247-3

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 178 W 114W (Tc) 114W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11A 11A -

输入电容(Ciss) 545pF @100V(Vds) 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 178W (Tc) 114W (Tc) 114W (Tc)

额定功率(Max) 178 W - -

封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free