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IRFZ48NSTRLPBF

IRFZ48NSTRLPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK


欧时:
INFINEON MOSFET IRFZ48NSTRLPBF


立创商城:
IRFZ48NSTRLPBF


贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRFZ48NSTRLPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 55V 64A 14mOhm TO263 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK


IRFZ48NSTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 140 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 4 V

输入电容 1970 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 64A

上升时间 78 ns

输入电容Ciss 1970pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 130W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRFZ48NSTRLPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFZ48NSTRLPBF
型号 制造商 描述 购买
IRFZ48NSTRLPBF Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFZ48NSTRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFZ48NSTRLPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 64A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IRFZ48NSPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 64A

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INFINEON  IRFZ48NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V

IRFZ48NSTRLPBF和IRFZ48NSPBF的区别

型号: IRFZ48NSTRR

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 55V 64A

类似代替

D2PAK N-CH 55V 64A

IRFZ48NSTRLPBF和IRFZ48NSTRR的区别

型号: IRFZ48NS

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 55V 64A

功能相似

D2PAK N-CH 55V 64A

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