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IRFZ48NSPBF、IRFZ48NSTRLPBF、IRFZ48NS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ48NSPBF IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NS

描述 INFINEON  IRFZ48NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 55V 64A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定功率 140 W 140 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.014 Ω 0.014 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 130 W 3.8 W -

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 - 1970 pF -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55.0 V

连续漏极电流(Ids) 64A 64A 64.0 A

上升时间 78 ns 78 ns 78 ns

输入电容(Ciss) 1970pF @25V(Vds) 1970pF @25V(Vds) 1970pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.8 W -

下降时间 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 3800 mW

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 64.0 A

产品系列 - - IRFZ48NS

长度 10.67 mm 6.5 mm -

宽度 9.65 mm 6.22 mm -

高度 4.83 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -