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IRFZ48NS、IRFZ48NSTRLPBF、IRFZ48NSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ48NS IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSPBF

描述 D2PAK N-CH 55V 64A晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFZ48NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 140 W 140 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.014 Ω 0.014 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 3.8 W 130 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 64.0 A 64A 64A

上升时间 78 ns 78 ns 78 ns

输入电容(Ciss) 1970pF @25V(Vds) 1970pF @25V(Vds) 1970pF @25V(Vds)

下降时间 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 130W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 64.0 A - -

产品系列 IRFZ48NS - -

输入电容 - 1970 pF -

额定功率(Max) - 3.8 W -

长度 - 6.5 mm 10.67 mm

宽度 - 6.22 mm 9.65 mm

高度 - 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -