IRLR8726TRPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRLR8726TRPBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 2150pF @15VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 7.49 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRLR8726TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRLR8726TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLR8726TRPBF | Infineon 英飞凌 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |
替代型号IRLR8726TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLR8726TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 30V 86A | 当前型号 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 当前型号 |
| 型号： IRLR8726TRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 30V 86A | 完全替代 | N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V | IRLR8726TRPBF和IRLR8726TRLPBF的区别 |
| 型号： IRLR8726PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 30V 86A | 类似代替 | INFINEON IRLR8726PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V | IRLR8726TRPBF和IRLR8726PBF的区别 |
| 型号： IRLR8726 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package | IRLR8726TRPBF和IRLR8726的区别 |