IRLR8726TRLPBF、IRLR8726TRPBF、IRLR8726PBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRLR8726TRLPBF IRLR8726TRPBF IRLR8726PBF

描述 N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRLR8726PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - - 75 W

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.004 Ω 0.004 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 75 W 75 W 75 W

阈值电压 - 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86A

上升时间 49 ns 49 ns 49 ns

输入电容(Ciss) 2150pF @15V(Vds) 2150pF @15V(Vds) 2150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 75 W 75 W 75 W

下降时间 16 ns 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75W (Tc) 75W (Tc) 75000 mW

长度 6.5 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 7.49 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17