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2N7002DW-7-F

2N7002DW-7-F

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Diodes 美台 分立器件

双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 115mA/0.115A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 3.2Ω@ VGS = 5.0V, ID = 0.05A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 1~2V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small-Signal-Transistor Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package 描述与应用| 双N沟道增强型场效应 小信号晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快吗 低输入/输出漏 超小型表面贴装封装

2N7002DW-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 115 mA

针脚数 6

漏源极电阻 13.5 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 2 V

输入电容 50.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 70.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 115 mA

正向电压Max 1.5 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

2N7002DW-7-F引脚图与封装图
2N7002DW-7-F引脚图

2N7002DW-7-F引脚图

2N7002DW-7-F封装图

2N7002DW-7-F封装图

2N7002DW-7-F封装焊盘图

2N7002DW-7-F封装焊盘图

在线购买2N7002DW-7-F
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2N7002DW-7-F Diodes 美台 双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装 搜索库存
替代型号2N7002DW-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N7002DW-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363 Dual N-Channel 60V 115mA 4.4Ω 50pF

当前型号

双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装

当前型号

型号: 2N7002DW-7

品牌: 美台

封装: SC-70-6 N-Channel 60V 115mA 4.4Ω 50pF

类似代替

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

2N7002DW-7-F和2N7002DW-7的区别

型号: 2N7002DW

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-363 Dual N-Channel 60V 115mA

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002DW.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-363

2N7002DW-7-F和2N7002DW的区别

型号: 2N7002DW-TP

品牌: 美微科

封装: SOT-363 Dual N-Channel 60V 1A 50pF

功能相似

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  2N7002DW-TP  场效应管, 双路, N通道, MOSFET, 60V, 115MA, SOT-3

2N7002DW-7-F和2N7002DW-TP的区别