锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2N7002DW、2N7002DW-7-F、2N7002DW-7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002DW 2N7002DW-7-F 2N7002DW-7

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002DW.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-363双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 115 mA 115 mA

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 1.6 Ω 13.5 Ω 4.40 Ω

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 200 mW 200 mW

阈值电压 1.76 V 2 V -

输入电容 - 50.0 pF 50.0 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 70.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 115 mA 115 mA 115 mA

正向电压(Max) - 1.5 V -

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 310 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.2 W 310 mW 200 mW

通道数 2 - -

长度 2 mm 2.2 mm -

宽度 1.25 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -