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IRF2807STRRPBF、IRFS4410ZTRLPBF、IRF2807SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2807STRRPBF IRFS4410ZTRLPBF IRF2807SPBF

描述 D2PAK N-CH 75V 82AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRF2807SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0072 Ω 0.013 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 230 W 230 W 200 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 75 V 100 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 82A 97A 82A

上升时间 64 ns 52 ns 64 ns

输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 4820pF @50V(Vds) 3820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 230 W -

下降时间 48 ns 57 ns 48 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)

额定功率 200 W - 200 W

通道数 1 - -

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

宽度 6.22 mm 11.3 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17