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IRFZ34NSTRLPBF

IRFZ34NSTRLPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

IRFZ34NSTRLPBF 编带

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Low RDSon
.
Industry-leading quality
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Dynamic dv/dt Rating
.
Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
.
175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK


立创商城:
N沟道 55V 29A


欧时:
Infineon MOSFET IRFZ34NSTRLPBF


贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**MOSFET 55V 29A **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK


IRFZ34NSTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 68 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 40 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

阈值电压 4 V

输入电容 700 pF

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 49 ns

输入电容Ciss 700pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFZ34NSTRLPBF引脚图与封装图
IRFZ34NSTRLPBF引脚图

IRFZ34NSTRLPBF引脚图

在线购买IRFZ34NSTRLPBF
型号 制造商 描述 购买
IRFZ34NSTRLPBF Infineon 英飞凌 IRFZ34NSTRLPBF 编带 搜索库存
替代型号IRFZ34NSTRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFZ34NSTRLPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 29A

当前型号

IRFZ34NSTRLPBF 编带

当前型号

型号: IRFZ34NSPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 29A

类似代替

INFINEON  IRFZ34NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

IRFZ34NSTRLPBF和IRFZ34NSPBF的区别

型号: IRFZ34NS

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-Channel 55V 29A 40mΩ

类似代替

D2PAK N-CH 55V 29A

IRFZ34NSTRLPBF和IRFZ34NS的区别

型号: IRFZ34NSTRRPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 55V 29A

功能相似

D2PAK N-CH 55V 29A

IRFZ34NSTRLPBF和IRFZ34NSTRRPBF的区别