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IRFZ34NSTRLPBF、IRFZ34NSTRRPBF、IRFZ34NSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRRPBF IRFZ34NSPBF

描述 IRFZ34NSTRLPBF 编带D2PAK N-CH 55V 29AINFINEON  IRFZ34NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

额定功率 68 W 68 W 68 W

通道数 1 1 1

漏源极电阻 40 mΩ 40 mΩ 0.04 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 68 W 3.8 W 68 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 29A 29A 29A

上升时间 49 ns 49 ns 49 ns

反向恢复时间 - 57 ns -

正向电压(Max) - 1.6 V -

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)

下降时间 40 ns 40 ns 40 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8 W

针脚数 3 - 3

额定功率(Max) 3.8 W - 3.8 W

输入电容 700 pF - -

长度 10.67 mm 6.5 mm 10.67 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17