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IRFZ34NS、IRFZ34NSTRLPBF、IRFZ34NSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ34NS IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSPBF

描述 D2PAK N-CH 55V 29AIRFZ34NSTRLPBF 编带INFINEON  IRFZ34NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 68 W 68 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 40.0 mΩ (max) 40 mΩ 0.04 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8W (Ta), 68W (Tc) 68 W 68 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 29.0 A 29A 29A

上升时间 49 ns 49 ns 49 ns

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.8 W 3.8 W

下降时间 40 ns 40 ns 40 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8 W

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 29.0 A - -

产品系列 IRFZ34NS - -

漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V -

输入电容 - 700 pF -

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

宽度 - 6.22 mm 9.65 mm

高度 - 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17