PBLS2001S,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PBLS2001S,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 50V, 20V
集电极最大允许电流 100mA/3A
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBLS2001S,115引脚图与封装图
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在线购买PBLS2001S,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBLS2001S,115 | NXP 恩智浦 | SO NPN+PNP 50V/20V 100mA/3A | 搜索库存 |
替代型号PBLS2001S,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBLS2001S,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 8-SOIC NPN PNP | 当前型号 | SO NPN+PNP 50V/20V 100mA/3A | 当前型号 |
| 型号： PBLS2001S 品牌： 恩智浦 封装： SO NPN+PNP | 类似代替 | SO NPN+PNP 50V/20V 100mA/3A | PBLS2001S,115和PBLS2001S的区别 |
| 型号： PBLS2021D,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | PNP - 预偏压 100mA 1.8A 50V 20V | PBLS2001S,115和PBLS2021D,115的区别 |