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PBLS2021D,115、PBLS2001S,115、PBLS2001S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBLS2021D,115 PBLS2001S,115 PBLS2001S

描述 PNP - 预偏压 100mA 1.8A 50V 20VSO NPN+PNP 50V/20V 100mA/3ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 8 -

封装 SOT-457 SOIC-8 -

额定功率 0.6 W - -

耗散功率 760 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 50V, 20V 50V, 20V -

额定功率(Max) 760 mW 1.5 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

增益带宽 130 MHz - -

耗散功率(Max) 760 mW 1500 mW -

极性 - NPN+PNP -

集电极最大允许电流 - 100mA/3A -

封装 SOT-457 SOIC-8 -

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -