MJD253T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD253T4引脚图与封装图
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在线购买MJD253T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD253T4 | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号MJD253T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD253T4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK PNP -100V -4A | 当前型号 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： MJD253T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK PNP -100V -4A 1400mW | 类似代替 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MJD253T4和MJD253T4G的区别 |