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MMBT589LT1G

MMBT589LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBT589LT1G  单晶体管 双极, 低VCESat, PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −650mV/-0.65V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 310mW/0.31W Description & Applications| High current surface mount PNP Silicon Switching Transistor for load management in portable applications 描述与应用| 高电流表面贴装 PNP硅开关 在便携式应用中的负载管理

MMBT589LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 310 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 710 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT589LT1G引脚图与封装图
MMBT589LT1G引脚图

MMBT589LT1G引脚图

MMBT589LT1G封装焊盘图

MMBT589LT1G封装焊盘图

在线购买MMBT589LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBT589LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBT589LT1G  单晶体管 双极, 低VCESat, PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE 搜索库存
替代型号MMBT589LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBT589LT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23 PNP -30V -1A 710mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBT589LT1G  单晶体管 双极, 低VCESat, PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE

当前型号

型号： NSS30100LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 PNP -30V -1A 710mW

类似代替

30 V ， 2 A，低的Vce （ sat）的PNP晶体管 30 V, 2 A, Low Vcesat PNP Transistor

MMBT589LT1G和NSS30100LT1G的区别

型号： NSVMMBT589LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23-3 PNP 710mW

类似代替

MMBT589L: 30 V，1.0 A，高电流，PNP，低饱和压，双极晶体管

MMBT589LT1G和NSVMMBT589LT1G的区别

型号： MMBT589LT1

品牌： 安森美

封装： SOT-23 PNP 30V 1A 710mW

类似代替

高电流表面贴装PNP硅开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

MMBT589LT1G和MMBT589LT1的区别