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ON(安森美) FDV303N_NB9U008

ON(安森美) FDV303N_NB9U008
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请参阅产品规格

制造商型号:

FDV303N_NB9U008

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
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FDV303N_NB9U008 中文资料

FDV303N_NB9U008 规格参数

属性
参数值

制造商型号

FDV303N_NB9U008

制造商

ON(安森美)

商品描述

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

-

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

680mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

450mOhm @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.3nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

50pF @ 10V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

350mW (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

SOT-23

封装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
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价格(含增值税)

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