2N3906RLRA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
极性 Dual P-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541210075
2N3906RLRA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N3906RLRA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3906RLRA | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N3906RLRA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3906RLRA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 Dual P-Channel -40V -200mA 625mW | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N3906BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 完全替代 | 小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N3906RLRA和2N3906BU的区别 |
| 型号： 2N3906TFR 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 完全替代 | ON Semiconductor 2N3906TFR , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:60, 250 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 2N3906RLRA和2N3906TFR的区别 |
| 型号： 2N3906TF 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 完全替代 | 小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N3906RLRA和2N3906TF的区别 |