击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-3
封装 SMD-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N2906AUB 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-18 | 当前型号 | 抗辐射 RADIATION HARDENED | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N2906AUB 品牌: 美高森美 封装: 500mW | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 2N2906AUB和JANTXV2N2906AUB的区别 | |
型号: JANTX2N2906AUB 品牌: 美高森美 封装: UB PNP | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 2N2906AUB和JANTX2N2906AUB的区别 | |
型号: JAN2N2906AUB 品牌: 美高森美 封装: UB PNP | 类似代替 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 2N2906AUB和JAN2N2906AUB的区别 |