2N2906AUB、JANTXV2N2906AUB、JANTX2N2906AUB对比区别
型号 2N2906AUB JANTXV2N2906AUB JANTX2N2906AUB
描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 SMD-3 SMD-3 SMD-3
极性 - - PNP
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - - 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V
额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW
耗散功率 - 0.5 W -
封装 SMD-3 SMD-3 SMD-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Pack Pack
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead