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2N2906AUB、JANTX2N2906AUB、JANS2N2906AUB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2906AUB JANTX2N2906AUB JANS2N2906AUB

描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 SMD-3 SMD-3 UB

极性 - PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 SMD-3 SMD-3 UB

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Pack Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -