频率 120 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
2SA1416T-TD-E引脚图
2SA1416T-TD-E封装图
2SA1416T-TD-E封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SA1416T-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SA1416T-TD-E 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: PCP-3 PNP 500mW | 当前型号 | NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 | |
型号: 2SA1416S-TD-E 品牌: 安森美 封装: TO-243AA PNP 500mW | 功能相似 | NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 2SA1416T-TD-E和2SA1416S-TD-E的区别 |